samsung elektronik bugün endüstrinin ilk gelişimini duyurdu DDR5 çalışma belleği 12nm sınıfı işlem teknolojisine dayalı. Şirket bugün, uyumluluk değerlendirmesinin amd onun üstünde’Zenürünler de tamamlandı.
12nm sınıfı DDR5 RAM, gelişmiş malzeme kullanır
Teknolojideki önemli ilerlemeler, hücre kapasitansını artıran yüksek κ malzeme ve anahtar devre özelliklerini iyileştiren patentli bir tasarım tekniğinin kullanılmasıyla elde edilmiştir. Bu, gelişmiş çok katmanlı aşırı ultraviyole litografi ile birleştiğinde, endüstrideki en yüksek kalıp yoğunluğuna sahip DRAM’in oluşturulmasıyla sonuçlanmış ve gofret üretkenliğinde %20’lik bir artışa yol açmıştır.
Samsung’un 12nm sınıfı DRAM’i en yeni DDR5 standardını kullanır ve saniyede 7,2 gigabit hıza ulaşma potansiyeline sahiptir ve iki adet 30 gigabayt UHD filmi yalnızca bir saniyede hızla işler.
Samsung’un DRAM’i gelişmiş hız ve verimlilik sunar
Yeni DRAM, önceki modele göre %23’e kadar daha az güç tüketerek gelişmiş güç verimliliği sunarken hızı artırır. Bu, onu daha sürdürülebilir bir şekilde çalışmak isteyen BT şirketleri için özellikle uygun bir seçim haline getirir.
SAMSUNG bu gelişmiş 12nm sınıfı DRAM’in seri üretimine 2023’te başlamayı ve çeşitli pazar segmentlerinde kullanılabilirliğini genişletmeyi planlıyor. Şirket, yeni nesil bilgisayarların büyümesini desteklemek için endüstri ortaklarıyla birlikte çalışıyor.
Samsung Electronics DRAM Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı Jooyoung Lee, “12nm DRAM dizimiz, DDR5 DRAM’in pazar çapında benimsenmesinde önemli bir faktör olacak” dedi. “Olağanüstü performans ve enerji verimliliği ile yeni DRAM’imizin, yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve AI güdümlü sistemler gibi alanlarda daha sürdürülebilir operasyonlar için temel oluşturmasını bekliyoruz.”
AMD Kıdemli Başkan Yardımcısı, Kurumsal Üye ve Müşteri, Bilgi İşlem ve Grafik CTO’su Joe Macri, “İnovasyon, teknolojinin sınırlarını zorlamak için genellikle endüstri ortaklarıyla yakın çalışmayı gerektirir” dedi.
12nm sınıfı DDR5 RAM, gelişmiş malzeme kullanır
Teknolojideki önemli ilerlemeler, hücre kapasitansını artıran yüksek κ malzeme ve anahtar devre özelliklerini iyileştiren patentli bir tasarım tekniğinin kullanılmasıyla elde edilmiştir. Bu, gelişmiş çok katmanlı aşırı ultraviyole litografi ile birleştiğinde, endüstrideki en yüksek kalıp yoğunluğuna sahip DRAM’in oluşturulmasıyla sonuçlanmış ve gofret üretkenliğinde %20’lik bir artışa yol açmıştır.
Samsung’un 12nm sınıfı DRAM’i en yeni DDR5 standardını kullanır ve saniyede 7,2 gigabit hıza ulaşma potansiyeline sahiptir ve iki adet 30 gigabayt UHD filmi yalnızca bir saniyede hızla işler.
Samsung’un DRAM’i gelişmiş hız ve verimlilik sunar
Yeni DRAM, önceki modele göre %23’e kadar daha az güç tüketerek gelişmiş güç verimliliği sunarken hızı artırır. Bu, onu daha sürdürülebilir bir şekilde çalışmak isteyen BT şirketleri için özellikle uygun bir seçim haline getirir.
SAMSUNG bu gelişmiş 12nm sınıfı DRAM’in seri üretimine 2023’te başlamayı ve çeşitli pazar segmentlerinde kullanılabilirliğini genişletmeyi planlıyor. Şirket, yeni nesil bilgisayarların büyümesini desteklemek için endüstri ortaklarıyla birlikte çalışıyor.
Samsung Electronics DRAM Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı Jooyoung Lee, “12nm DRAM dizimiz, DDR5 DRAM’in pazar çapında benimsenmesinde önemli bir faktör olacak” dedi. “Olağanüstü performans ve enerji verimliliği ile yeni DRAM’imizin, yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve AI güdümlü sistemler gibi alanlarda daha sürdürülebilir operasyonlar için temel oluşturmasını bekliyoruz.”
AMD Kıdemli Başkan Yardımcısı, Kurumsal Üye ve Müşteri, Bilgi İşlem ve Grafik CTO’su Joe Macri, “İnovasyon, teknolojinin sınırlarını zorlamak için genellikle endüstri ortaklarıyla yakın çalışmayı gerektirir” dedi.